ISO 5618-2:2024

Publiée (Edition 1, 2024)

ISO 5618-2:2024

CHF 132

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Résumé

Le présent document décrit une méthode de détermination de la densité des piqûres qui est utilisée pour détecter les dislocations et les défauts induits par le process et qui sont rencontrés sur les substrats de GaN monocristallin ou les films de GaN monocristallin.

Il est applicable aux défauts spécifiés dans l’ISO 5618-1 parmi les défauts émergents à la surface des types de substrats ou de films de GaN suivants: substrat de GaN monocristallin, film de GaN monocristallin formé par croissance homoépitaxiale sur un substrat de GaN monocristallin ou film de GaN monocristallin formé par croissance hétéroépitaxiale sur un substrat monocristallin de Al₂O₃, SiC ou Si.

Il est applicable aux défauts dont la densité des piqûres est ≤ 7 × 10⁷ cm^-2.

Informations générales

État actuel
: Publiée

Date de publication
: 2024-04

Stade
: Norme internationale publiée [60.60]
Edition
: 1

Nombre de pages
: 26
Comité technique :
ISO/TC 206

ICS :
81.060.30
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