Тезис
ISO 12406:2010 specifies a secondary-ion mass spectrometric method using magnetic-sector or quadrupole mass spectrometers for depth profiling of arsenic in silicon, and using stylus profilometry or optical interferometry for depth calibration. This method is applicable to single-crystal, poly-crystal or amorphous silicon specimens with arsenic atomic concentrations between 1 x 1016 atoms/cm3 and 2,5 x 1021 atoms/cm3, and to crater depths of 50 nm or deeper.
Общая информация
-
Текущий статус: ОпубликованоДата публикации: 2010-11Этап: Подтверждение действия международного стандарта [90.93]
-
Версия: 1
-
Технический комитет :ISO/TC 201/SC 6ICS :71.040.40
- RSS обновления
Жизненный цикл
-
Сейчас
ОпубликованоISO 12406:2010
Стандарт, который пересматривается каждые 5 лет
Этап: 90.93 (Подтверждено)-
00
Предварительная стадия
-
10
Стадия, связанная с внесением предложения
-
20
Подготовительная стадия
-
30
Стадия, связанная с подготовкой проекта комитета
-
40
Стадия, связанная с рассмотрением проекта международного стандарта
-
50
Стадия, на которой осуществляется принятие стандарта
-
60
Стадия, на которой осуществляется публикация
-
90
Стадия пересмотра
-
95
Стадия, на которой осуществляется отмена стандарта
-
00