Reference number
ISO 12406:2010
International Standard
ISO 12406:2010
Surface chemical analysis — Secondary-ion mass spectrometry — Method for depth profiling of arsenic in silicon
Edition 1
2010-11
Preview
ISO 12406:2010
51418
недоступно на русском языке
Опубликовано (Версия 1, 2010)
Последний раз этот публикация был пересмотрен в  2021. Поэтому данная версия остается актуальной.

ISO 12406:2010

ISO 12406:2010
51418
Язык
Формат
CHF 96
Пересчитать швейцарские франки (CHF) в ваша валюта

Тезис

ISO 12406:2010 specifies a secondary-ion mass spectrometric method using magnetic-sector or quadrupole mass spectrometers for depth profiling of arsenic in silicon, and using stylus profilometry or optical interferometry for depth calibration. This method is applicable to single-crystal, poly-crystal or amorphous silicon specimens with arsenic atomic concentrations between 1 x 1016 atoms/cm3 and 2,5 x 1021 atoms/cm3, and to crater depths of 50 nm or deeper.

Общая информация

  •  : Опубликовано
     : 2010-11
    : Подтверждение действия международного стандарта [90.93]
  •  : 1
  • ISO/TC 201/SC 6
    71.040.40 
  • RSS обновления

Жизненный цикл

Появились вопросы?

Ознакомьтесь с FAQ