недоступно на русском языке
Текущий статус : Опубликовано (Hа стадии пересмотра)
Последний раз этот стандарт был пересмотрен в  2020. Поэтому данная версия остается актуальной
Формат Язык
PDF
Бумажный
  • CHF124
Пересчитать швейцарские франки (CHF) в ваша валюта

Тезис

ISO 23812:2009 specifies a procedure for calibrating the depth scale in a shallow region, less than 50 nm deep, in SIMS depth profiling of silicon, using multiple delta-layer reference materials.

It is not applicable to the surface-transient region where the sputtering rate is not in the steady state.

It is applicable to single-crystalline silicon, polycrystalline silicon and amorphous silicon.

Общая информация

  • Текущий статус
     : Опубликовано
    Дата публикации
     : 2009-04
    Этап
    : Подтверждение действия между-народного стандарта [90.93]
  • Версия
     : 1
  • Технический комитет :
    ISO/TC 201/SC 6
    ICS :
    71.040.40 
  • RSS обновления
Standard first page

Preview 

Предварительно ознакомьтесь с этим стандартом в нашем Он-лайн библиотека стандартов (OBP)

Жизненный цикл

Цели в области устойчивого развития

Данный стандарт разработан для достижения следующих Цели в области устойчивого развития

9
Индустриализация, инновации и инфраструктура
7
Недорогостоящая и чистая энергия

Появились вопросы?

Ознакомьтесь с FAQ

Работа с клиентами
+41 22 749 08 88

Часы работы:
Понедельник – пятница: 09:00-12:00, 14:00-17:00 (UTC+1)

  2. Интернет-магазин
  3. Каталог стандартов
  4. МКС
  5. 71
  6. 71.040
  7. 71.040.40
  8. ISO 23812:2009